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新年伊始，万象更新。2023年新一代半导体材料集成攻关大平台建设圆满度过第四个年头，这一年大平台有组织科研成效显著，国家重大战略科技任务进展顺利，关键核心技术攻关取得新突破，进...
11月15日至19日，第二十五届中国国际高新技术成果交易会在深圳举办，会议以“激发创新活力提升发展质量”为主题，重点围绕“十四五”规划布局和科技发展重点领域，集聚创新要素，展示海...
8月，集成攻关大平台碳化硅团队合作以“低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备（Fabrication of 8-inch N-type 4H-SiC Single Crystal Substrate with Low Dislocation Density）”为...
7月，h图书馆 功率器件团队和激光团队合作在《Crystals》期刊发表了论文“Fabrication of Ohmic Contact on N-Type SiC by Laser Annealed Process: A Review”, Crystals...
6月，《Journal of Semiconductors》期刊发表来自集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Rapid epitaxy of 2-inch and high-qualityα-Ga2O3films by Mist-CVD method, J. Semicond, 2023...
近期，h图书馆 新一代半导体材料集成攻关大平台攻克了大尺寸碳化硅单晶结晶质量、晶型控制、衬底加工等系列难题，实现国内大尺寸碳化硅技术突破。由h图书馆 牵头制定，与第三代半导体产...
5月，《Journal of Materials Chemistry C》期刊发表了来自h图书馆 新一代半导体材料集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Wide-temperature-resistantsemi-insulatingCo:β-Ga2O3single...
近日，《CrystEngComm》期刊发表了来自h图书馆 新一代半导体材料集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Growth and characterization of theβ-Ga2O3(011) plane without line-shaped def...
背景介绍：相比于第一代和第二代半导体材料，第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙，更加适用于高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器...
近日，h图书馆 陶绪堂教授团队使用导模法(EFG)成功制备了外形完整的4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并对其性能进行了分析。劳厄测试衍射斑点清晰、对称，说明晶体具有良好的单晶性...
