2月24日，h图书馆 新一代半导体材料集成攻关大平台特聘教授韩吉胜应澳大利亚格里菲斯大学邀请，赴该校进行学术访问，并与格里菲斯大学昆士兰微纳米技术中心Dan Haasmann、Matt Goodwin等核心研究团队开展前沿技术交流。
访问期间，双方围绕超高压碳化硅功率器件、SiC MOSFET关键制造工艺及其前沿应用等议题进行了深入研讨。此次学术交流进一步加强了双方在宽禁带半导体领域的沟通与合作，为后续开展国际联合研发、推进关键技术突破奠定了良好基础。
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